功能描述：MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB

制造商：nexperia usa inc.

系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：350mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：370mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：1

2N7002BKW

2N7002BKW,115

2N7002BKW,115/BKN

2N7002CK

2N7002CK,125

2N7002CK,215

2N7002CK,215/BKN

2N7002DW

2N7002DW H6327

2N7002DW L6327